افزایش بازده در سلولهای خورشیدی نانوساختار نقاط کوانتومی با استفاده از باند میانی

نرخ انتقال بین باندی و باز ترکیب سطحی حامل ها در نقاط کوانتومی، به عنوان دو پارامتر موثر برای بهینه سازی فوتو جریان و بازدهی سلول های خورشیدی باند میانی بطور کلاسیک مورد مطالعه قرار گرفته اند. فرمول سازی برای این نرخ ها نشان می دهد که آن ها به طول عمر باز ترکیب حامل ها وابسته اند. این وابستگی می تواند نقش باز ترکیبی یا مراکز تولیدی را به نقاط کوانتومی بدهد. ما این نرخ ها را برای دو مقدار متفاوت طول عمر باز ترکیب محاسبه کرده ایم. چنین استنباط می کنیم که برای طول عمر طولانی تر، نقاط کوانتومی به عنوان مراکز تولید حامل عمل می کنند و فوتو جریان و بازدهی سلول خورشیدی را بهبود می بخشند و نشان داده شده است که یک تعداد بهینه برای لایه های نقاط کوانتومی انباشته برای مشارکت در ناحیه میانی به منظور تولید حداکثر فوتو جریان وجود دارد. همچنین خصوصیات j-v و بازدهی به عنوان تابعی از ضخامت ناحیه فعال سلول های خورشیدی نوار میانی محاسبه شده است. ما در ادامه این پایان نامه ماکزیمم نقطه بازده سه سلول مختلف را که از مواد مشهوری ساخته شده اند را مقایسه کردیم. هر سلول شامل یک اندازه مختلف از نقطه کوانتومی در ناحیه میانی است که موجب ایجاد ترازهای باند میانی مختلفی در شکاف باند نیمه رسانای میزبان می شود. به اضافه، اشاره شده که با افزایش شدت نور برخورد در محدوده تابش، ماکزیمم بازدهی نیز افزایش می یابد.